ไมโครชิพต่อยอดสายพันธุ์ตัวขยายกำลัง RF Power amplifier

อุปกรณ์ตัวล่าสุดที่ตอบโจทย์การใช้งานแบบฝังตัวใน WLAN ใช้ค่าแรงดันไฟแบตตารี่ต่ำ ในขนาดกะทัดรัด แต่ประสิทธิภาพเกินขนาด กรุงเทพ – 21 มิถุนายน พ.ศ. 2554 [NASDAQ: MCHP] — ไมโครชิพ เทคโนโลยี, อิงค์ บริษัทชั้นนำผู้นำเสนอไมโครคอนโทรลเลอร์ อะนาล็อก และแฟลช-ไอพีโซลูชั่น เปิดตัวส่วนต่อยอดของพอร์ตโฟลิโอตระกูล RF Energy amplifier ที่มาพร้อมอุปกรณ์ SST12LP17E และ SST12LP18E อุปกรณ์ SST12LP17E เป็นตัวขยายกำลังที่เล็กที่สุดในคลาส ใช้ DC bypass capacitor (ตัวเก็บประจุพลังงาน) เพียงตัวเดียวเท่านั้นในการทำงานขั้นต่ำสุด ส่วนอุปกรณ์ SST12LP18E นี้เป็นทางเลือกสำหรับตัวขยายแรงดันที่เล็กลงมาและราคาต่ำกว่าตัวขยายกำลังรุ่น SST12LP14E ของไมโครชิพที่เป็นที่นิยม โดยจะให้แรงดันที่ต่ำที่สุดในกลุ่ม RF Energy amp ของไมโครชิพ สามารถทำงานได้ที่อุณหภูมิ 20 ถึง +85 องศาเซลเซียส อุปกรณ์ใช้ค่าแรงดันไฟฟ้าในการทำงานต่ำเพียงที่ 2.7V  See More..